[发明专利]抗蚀图案改善材料、形成抗蚀图案的方法以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.抗蚀图案改善材料，其包含：

C4-11直链链烷二醇；和

水。

2.如权利要求1所述的材料，其中所述直链链烷二醇是C5-9直链链烷二醇。

3.如权利要求1所述的材料，其中所述直链链烷二醇是由以下通式1表示的化合物：

通式1

其中n是2至6的整数。

4.如权利要求1所述的材料，其中所述直链链烷二醇的量相对于100质量份的水为0.01质量份至5质量份。

5.如权利要求1所述的材料，其中所述材料还包含水溶性树脂。

6.如权利要求5所述的材料，其中所述水溶性树脂选自以下至少一种：聚乙烯醇、聚乙烯醇缩乙醛、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮以及至少部分地含有前述任一树脂的树脂。

7.如权利要求5所述的材料，其中所述水溶性树脂的量相对于100质量份的水为0.001质量份至10质量份。

8.如权利要求1所述的材料，其中所述材料还包含表面活性剂。

9.如权利要求1所述的材料，其中所述抗蚀图案改善材料是水溶液的形式。

10.形成抗蚀图案的方法，其包括：

在形成抗蚀图案之后，涂覆抗蚀图案改善材料，以覆盖所述抗蚀图案的表面，

其中所述抗蚀图案改善材料包含：

C4-11直链链烷二醇；和

水。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述方法进一步包括：

用含水的显影剂使表面被所述抗蚀图案改善材料覆盖的所述抗蚀图案显影。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述方法进一步包括：

在所述涂覆后，烘焙所述抗蚀图案改善材料。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述直链链烷二醇是C5-9直链链烷二醇。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述直链链烷二醇是由以下通式1表示的化合物：

通式1

其中n是2至6的整数。

15.如权利要求10所述的方法，其中所述直链链烷二醇的量相对于100质量份的水为0.01质量份至5质量份。

16.制造半导体器件的方法，其包括：

在加工表面上形成抗蚀图案之后，涂覆抗蚀图案改善材料，以覆盖所述抗蚀图案的表面，从而改善所述抗蚀图案；以及

使用改善的抗蚀图案作为掩膜对所述加工表面进行刻蚀，使所述加工表面图案化；

其中所述抗蚀图案改善材料包含：

C4-11直链链烷二醇；和

水。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述刻蚀是干刻蚀。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述加工表面是介电常数为2.7或更低的层间绝缘材料的表面。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述直链链烷二醇是C5-9直链链烷二醇。

20.如权利要求16所述的方法，其中所述直链链烷二醇是由以下通式1表示的化合物：

通式1

其中n是2至6的整数。