[发明专利]一种高维持电压N型静电防护半导体器件无效
| 申请号： | 201110224198.8 | 申请日： | 2011-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102280472A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;刘斯扬;魏守明;钱钦松;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高维持电压N型静电防护半导体器件，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是N型的掺杂半导体漂移区，P阱区设置在N型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，N型源区和P型接触区设置在P阱中，其特征是：在于在P阱内还设有P型掺杂半导体区，且P型掺杂半导体区位于N型源区和栅氧化层的下方。该器件可以有效地提高静电防护过程中的维持电压，因此该器件具有更好的抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 维持 电压 静电 防护 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高维持电压N型静电防护半导体器件，包括：半导体衬底（9），在半导体衬底（9）上面设置有埋氧化层（8），在埋氧化层（8）上设有N型掺杂半导体区（7），在N型掺杂半导体区（7）上设有P阱（6）和N型漏区（10），在P阱（6）上设有N型源区（11）和P型接触区（13），在P阱（6）的表面设有栅氧化层（3）且栅氧化层（3）自P阱（6）延伸至N型掺杂半导体区（7），在P阱（6）表面的N型源区（11）、P型接触区（13）和栅氧化层（3）的以外区域及N型掺杂半导体区（7）表面的N型漏区（10）以外区域设有场氧化层（1），在栅氧化层（3）的表面设有多晶硅栅（4）且多晶硅栅（4）延伸至场氧化层（1）的表面，在场氧化层（1）、P型接触区（13）、N型源区（11）、多晶硅栅（4）及N型漏区（10）的表面设有氧化层（5），在N型源区（11）、P型接触区（13）、多晶硅栅（4）和N型漏区（10）上分别连接有金属层（2），其特征在于在P阱（6）还内设有P型掺杂半导体区(121)且P型掺杂半导体区（121）位于N型源区（11）和栅氧化层（3）的下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110224198.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
