[发明专利]一种高维持电压N型静电防护半导体器件无效
| 申请号： | 201110224198.8 | 申请日： | 2011-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102280472A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;刘斯扬;魏守明;钱钦松;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 维持 电压 静电 防护 半导体器件 | ||
1.一种高维持电压N型静电防护半导体器件，包括：半导体衬底（9），在半导体衬底（9）上面设置有埋氧化层（8），在埋氧化层（8）上设有N型掺杂半导体区（7），在N型掺杂半导体区（7）上设有P阱（6）和N型漏区（10），在P阱（6）上设有N型源区（11）和P型接触区（13），在P阱（6）的表面设有栅氧化层（3）且栅氧化层（3）自P阱（6）延伸至N型掺杂半导体区（7），在P阱（6）表面的N型源区（11）、P型接触区（13）和栅氧化层（3）的以外区域及N型掺杂半导体区（7）表面的N型漏区（10）以外区域设有场氧化层（1），在栅氧化层（3）的表面设有多晶硅栅（4）且多晶硅栅（4）延伸至场氧化层（1）的表面，在场氧化层（1）、P型接触区（13）、N型源区（11）、多晶硅栅（4）及N型漏区（10）的表面设有氧化层（5），在N型源区（11）、P型接触区（13）、多晶硅栅（4）和N型漏区（10）上分别连接有金属层（2），其特征在于在P阱（6）还内设有P型掺杂半导体区(121)且P型掺杂半导体区（121）位于N型源区（11）和栅氧化层（3）的下方。
2.根据权利要求1所述的一种高维持电压N型静电防护半导体器件，其特征在于P型掺杂半导体区(121)下表面距离栅氧化层（3）下表面在0.5微米到1微米之间。
3.根据权利要求1所述的一种高维持电压N型静电防护半导体器件，其特征在于P型掺杂半导体区(121)下表面距离N型源区（11）下表面在0.2微米到0.5微米之间。
4.根据权利要求3所述的一种高维持电压N型静电防护半导体器件，其特征在于P型掺杂半导体区(121)的左表面与N型源区（11）右表面之间的水平距离在0.5微米到1微米之间。
5.根据权利要求3所述的一种高维持电压N型静电防护半导体器件，其特征在于P型掺杂半导体区(121)的右表面与P阱（6）右表面之间的水平距离在1微米到2微米之间。
6.根据权利要求1所述的一种高维持电压N型静电防护半导体器件，其特征在于P型掺杂半导体区(121)的注入剂量在2E12/ 到8E12/之间。
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