[发明专利]提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201110218925.X | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102280526A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 韩培德;邢宇鹏;范玉杰;梁鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法，该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照，使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活，减少间隙掺杂数量，从而改善半导体结质量，减少载流子复合，达到提高短路电流和开路电压、最终实现提高太阳能电池效率之目的。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 太阳能电池 效率 制备 高效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高太阳能电池效率的方法，其特征在于，该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照，使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活，减少间隙掺杂数量，从而改善半导体结质量，减少载流子复合，达到提高短路电流和开路电压，最终实现提高太阳能电池的效率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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