[发明专利]大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110214627.3 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102270633A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;杨利忠;李绪诚;张荣芬;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。其大功率倒装阵列LED芯片结构为：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型缓冲层（3）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；相邻两个阵列单元之间是n电极（5）；并且n电极（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；在绝缘层（4）包覆的p电极层（10）窗口上方覆盖外接金属散热层（11）。蓝宝石衬底（2）的出光面处理为粗糙化表面（1）。芯片的p电极采用光反射率较高的银或铝等金属。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 倒装 阵列 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率倒装阵列LED芯片，包括衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、电极层、绝缘层、外接金属层和钝化层，其特征在于：阵列LED芯片是由多个阵列单元构成阵列，其中相邻阵列单元都共用一个n型半导体层（6）；所述阵列单元是蓝宝石衬底（2）上方依次覆盖n型缓冲层（3）、n型半导体层（6）、有源层（7）、p型半导体层（8）、透明电极层（9）、p电极层（10）；相邻两个阵列单元之间是n电极（5）；并且n电极（5）和p电极层（10）由绝缘层（4）包覆；在绝缘层（4）包覆的p电极层（10）窗口上方覆盖外接金属散热层（11），在外接金属散热层（11）表面还有钝化层（12）。
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