[发明专利]电平移位器有效
| 申请号： | 201110208244.5 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102403997A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈炎辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电平移位器，包括：第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其栅极分别连接到反相的电路输入和电路输入，其源极接地，其漏极分别连接到电路输出和反相的电路输出。第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极分别连接到反相的电路输出和电路输出，其源极连接到高电压电源。第三PMOS晶体管，该第三PMOS晶体管是多独立栅极类型，其源极连接到第一PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到电路输出，其前栅极连接到反相的电路输入。第四PMOS晶体管是多独立栅极类型，其源极连接到第二PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到反相的电路输出，其前栅极连接到电路输入。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移位 | ||
【主权项】：
一种电平移位电路，包括：电路输入，在低电压电源和接地之间摆动；电路输出，在高电压电源和所述接地之间的摆动；反相器，其反相器输入连接到所述电路输入，反相器输出形成反相的电路输入；第一NMOS晶体管，其栅极连接到所述反相的电路输入，其源极接地，其漏极连接到所述电路输出；第二NMOS晶体管，其栅极连接到所述电路输入，其源极接地；第一PMOS晶体管，其栅极连接到所述第二NMOS晶体管的漏极，其源极连接到所述高电压电源；第二PMOS晶体管，其栅极连接到所述电路输出，其源极连接到所述高电压电源；第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管是多独立栅极类型，其源极连接到所述第一PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到所述电路输出，其前栅极连接到所述反相的电路输入；以及第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管是多独立栅极类型，其源极连接到所述第二PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到所述第二NMOS晶体管的漏极，其前栅极连接到所述电路输入。
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