[发明专利]电平移位器有效
| 申请号： | 201110208244.5 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102403997A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈炎辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平 移位 | ||
1.一种电平移位电路，包括：
电路输入，在低电压电源和接地之间摆动；
电路输出，在高电压电源和所述接地之间的摆动；
反相器，其反相器输入连接到所述电路输入，反相器输出形成反相的电路输入；
第一NMOS晶体管，其栅极连接到所述反相的电路输入，其源极接地，其漏极连接到所述电路输出；
第二NMOS晶体管，其栅极连接到所述电路输入，其源极接地；
第一PMOS晶体管，其栅极连接到所述第二NMOS晶体管的漏极，其源极连接到所述高电压电源；
第二PMOS晶体管，其栅极连接到所述电路输出，其源极连接到所述高电压电源；
第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管是多独立栅极类型，其源极连接到所述第一PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到所述电路输出，其前栅极连接到所述反相的电路输入；以及
第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管是多独立栅极类型，其源极连接到所述第二PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到所述第二NMOS晶体管的漏极，其前栅极连接到所述电路输入。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述反相器包括NMOS晶体管和PMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管是低压晶体管。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管以及第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管是高电压晶体管。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低电压电源低于0.8V。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高电压电源高于或者等于大约1.0V。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：反相的电路输出，其连接到所述第二NMOS晶体管的漏极，所述反相的电路输出在高电压电源和所述接地之间摆动。
8.一种电平移位电路，包括：
电路输入，在低电压电源和接地之间摆动；
电路输出，在高电压电源和所述接地之间的摆动；
反相的电路输出；
反相器，其反相器输入连接到所述电路输入，反相器输出形成反相的电路输入；
第一NMOS晶体管，其栅极连接到所述反相的电路输入，其源极接地，其漏极连接到所述电路输出；
第二NMOS晶体管，其栅极连接到所述电路输入，其源极接地，其漏极连接到所述反相的电路输出；
第一PMOS晶体管，其栅极连接到所述反相的电路输出，其源极连接到所述高电压电源；
第二PMOS晶体管，其栅极连接到所述电路输出，其源极连接到所述高电压电源；
第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管是双独立栅极类型，其源极连接到所述第一PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到所述电路输出，其前栅极连接到所述反相的电路输入；以及
第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管是双独立栅极类型，其源极连接到所述第二PMOS晶体管的漏极，其漏极和背栅极连接到所述反相的电路输出，其前栅极连接到所述电路输入。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述反相器包括低电压器件，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管以及第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管是高电压晶体管。
10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述低电压电源低于0.8V。
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