[发明专利]晶圆布植的方法无效
| 申请号： | 201110208107.1 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102800573A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 许平;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆布植的方法。该晶圆布植的方法包含：提供晶圆，其中该晶圆包含中央圆形区域，以及外围环形区域，其中该外围环形区域与该晶圆的边缘相邻，且该中央圆形区域与该外围环形区域为同圆心；以及，以离子束布植该晶圆，使得该中央圆形区域具有第一平均布植剂量，以及该外围环形区域具有第二平均布植剂量，且该第一平均布植剂量与该第二平均布植剂量不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆布植 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆布植的方法，其特征在于：提供晶圆，其中所述晶圆包含中央圆形区域、以及外围环形区域，所述外围环形区域与所述晶圆的边缘相邻，且其中所述中央圆形区域与所述外围环形区域为同圆心；以及以离子束布植所述晶圆，其中所述中央圆形区域具有第一平均布植剂量及所述外围环形区域具有第二平均布植剂量，且所述第一平均布植剂量与所述第二平均布植剂量不相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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