[发明专利]晶圆布植的方法

权利要求书

1.一种晶圆布植的方法，其特征在于：

提供晶圆，其中所述晶圆包含中央圆形区域、以及外围环形区域，所述外围环形区域与所述晶圆的边缘相邻，且其中所述中央圆形区域与所述外围环形区域为同圆心；以及

以离子束布植所述晶圆，其中所述中央圆形区域具有第一平均布植剂量及所述外围环形区域具有第二平均布植剂量，且所述第一平均布植剂量与所述第二平均布植剂量不相同。

2.根据如权利要求1所述的晶圆布植的方法，其特征在于中所述晶圆的边缘与所述中央圆形区域及所述外围环形区域间的边界的最小距离不大于所述晶圆半径的一半。

3.根据权利要求1所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述晶圆的边缘与所述中央圆形区域及所述外围环形区域间的边界的最小距离不大于所述晶圆半径的四分之一。

4.根据权利要求1所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述晶圆的边缘与所述中央圆形区域及所述外围环形区域间的边界的最小距离不大于所述晶圆半径的十分之一。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的布植剂量由所述晶圆的边缘向圆心逐渐增加。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的布植剂量由所述晶圆的边缘向圆心逐渐减少。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的中央圆形区域的剂量为固定值。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的外围环形区域的剂量为固定值。

9.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的中央圆形区域的布植剂量由所述晶圆的边缘向圆心逐渐增加。

10.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的中央圆形区域的布植剂量由所述晶圆的边缘向圆心逐渐减少。

11.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的外围环形区域的布植剂量由所述晶圆的边缘向圆心逐渐增加。

12.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于对所述晶圆的外围环形区域的布植剂量由所述晶圆的边缘向圆心逐渐减少。

13.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述外围环形区域包含多个环形子区域，且每一环形子区域都具有相同的圆心。

14.根据权利要求13所述的晶圆布植的方法，其特征在于每一环形子区域具有固定的布植剂量，且每一环形子区域的固定布植剂量都不相同。

15.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述第一平均布植剂量大于所述第二平均布植剂量。

16.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述第一平均布植剂量小于所述第二平均布植剂量。

17.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述第一平均布植剂量以及所述第二平均布植剂量的比值介于0.1-0.98之间或1.02-10之间。

18.根据权利要求1-4中任意一项所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述离子束包含掺杂物，使得所述晶圆经布植后产生n型或p型掺杂区域。

19.根据权利要求18所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述掺杂物包含锑、砷、或磷，以对所述晶圆产生n型掺杂区域。

20.根据权利要求18所述的晶圆布植的方法，其特征在于所述掺杂物包含硼、镓、或铟，以对所述晶圆产生p型掺杂区域。