[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110204017.5 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102891185A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。本发明的半导体结构中的二极管的切换速度高、开启电阻低。此外，本发明的二极管能自隔离于其它元件，需要的设计面积小且制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括一二极管，其中该二极管包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；以及一第三掺杂区，具有该第一导电型；其中该第二掺杂区与该第三掺杂区通过该第一掺杂区分开，该第三掺杂区具有相邻近的一第一部分与一第二部分，该第一部分与该第二部分分别靠近与远离该第二掺杂区，该第一部分的掺杂浓度大于该第二部分的掺杂浓度。
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