[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110204017.5 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102891185A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括一二极管，其中该二极管包括：
一第一掺杂区，具有一第一导电型；
一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；以及
一第三掺杂区，具有该第一导电型；
其中该第二掺杂区与该第三掺杂区通过该第一掺杂区分开，该第三掺杂区具有相邻近的一第一部分与一第二部分，该第一部分与该第二部分分别靠近与远离该第二掺杂区，该第一部分的掺杂浓度大于该第二部分的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二掺杂区与该第三掺杂区只通过该第一掺杂区分开。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一掺杂区包括一顶层，该顶层的一边缘位于该第三掺杂区的相对的边缘之间。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一掺杂区包括一顶层，该顶层包括一第一次层与一第二次层，该第一次层位于该第二次层上，该第一次层的掺杂浓度大于该第二次层的掺杂浓度。
5.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括形成一二极管，形成该二极管的方法包括：
在一第一掺杂区上形成一第二掺杂区；以及
在该第一掺杂区上形成一第三掺杂区，
其中该第一掺杂区与该第三掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第二掺杂区与该第三掺杂区通过该第一掺杂区分开，该第三掺杂区具有相邻近的一第一部分与一第二部分，该第一部分与该第二部分分别靠近与远离该第二掺杂区，该第一部分的掺杂浓度大于该第二部分的掺杂浓度。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该第一掺杂区包括一顶层与一阱区，该顶层的形成方法包括掺杂该阱区的一顶部分。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该第三掺杂区的形成方法包括掺杂互相邻接的该顶层的一顶部分与该阱区的一顶部分。
8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成该二极管的方法包括形成一介电隔离结构于该阱区上，其中该第二掺杂区与该第三掺杂区通过该介电隔离结构分开，该顶层在该介电隔离结构之后形成。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括一二极管，该二极管包括：
一第一掺杂区，具有一第一导电型；
一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；以及
一第三掺杂区，具有该第一导电型；
其中该第二掺杂区与该第三掺杂区只通过该第一掺杂区分开。
10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括形成一二极管，形成该二极管的方法包括：
在一第一掺杂区上形成一第二掺杂区；以及
在该第一掺杂区上形成一第三掺杂区，
其中该第一掺杂区与该第三掺杂区具有一第一导电型，该第二掺杂区具有相反于该第一导电型的一第二导电型，该第二掺杂区与该第三掺杂区只通过该第一掺杂区分开。
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