[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于半导体结构及其制造方法，特别是有关于二极管及其制造方法。

背景技术

半导体结构中的二极管在电子电路中具有广泛的应用。二极管可用于稳压并提供电路稳定的电压。此外，二极管也可用以保护集成电路装置的电路元件免于极强大电压的伤害。不过一般的二极管仍有需要改善的问题。举例来说，切换速度低，而无法达到集成电路装置的需求，且容易造成电路失效。因此，目前电路的趋势是往高速切换发展。然而，一般二极管需要大的设计面积，使得单元装置的微缩化无法有突破性的发展。

发明内容

本发明是有关于半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构中的二极管的切换速度高、开启电阻低。此外，本发明的二极管能自隔离于其它元件，需要的设计面积小且制造成本低。

本发明提供了一种半导体结构。半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。

本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括形成二极管。形成二极管的方法包括以下步骤。在第一掺杂区上形成第二掺杂区。在第一掺杂区上形成第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区通过第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度大于第二部分的掺杂浓度。

本发明又提供了一种半导体结构。半导体结构包括二极管。二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区只通过第一掺杂区分开。

本发明又提供了一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括形成二极管。形成二极管的方法包括以下步骤。在第一掺杂区上形成第二掺杂区。在第一掺杂区上形成第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区只通过第一掺杂区分开。

下文特举优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示在一实施例中半导体结构的剖面图。

图2绘示在一实施例中半导体结构的上视图。

图3显示实施例的二极管与比较例的二极管的I-V曲线图。

图4至图8绘示一实施例中半导体结构的工艺。

图9绘示一实施例中半导体结构及其操作方法。

图10绘示一实施例中半导体结构的剖面图。

图11绘示一实施例中半导体结构的剖面图。

图12绘示一实施例中半导体结构的剖面图。

图13绘示一实施例中半导体结构的剖面图。

图14绘示一实施例中半导体结构的剖面图。

图15绘示一实施例中半导体结构的剖面图。

【主要元件符号说明】

2：第一掺杂区；

4、104、204、704：第二掺杂区；

6、106、206、706：第三掺杂区；

8、36、108、136、436、508、536、608、636、846、850、860：阱区；

10、110、710：顶层；

12、112、712：第一次层；

14、114、714：第二次层；

16、18、20：边缘；

22：第一部分；

24：第一部分；

26、126、326：介电隔离结构；

28、128：衬底；

30、130：外延层；

32、432：掺杂隔离结构；

34、134、434、848：埋藏层；

138：层间介电层；

140：导电层；

142：导电插塞；

744：介电隔离结构；

852、854、856：重掺杂区；

858：栅极结构；

D：元件区；

HA：高侧区域；

L1：边长。

具体实施方式