[发明专利]通过优化伪金属分布增大介电强度有效
| 申请号： | 201110201477.2 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593043A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;刘醇鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种通过优化伪金属分布增大介电强度的方案，该方案包括以下方法：提供晶圆表示件，包括金属层和在该金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，该金属层包括：凸块焊盘正下方区域。将固体金属图案插入金属层，其中，固体金属图案包括：位于凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于凸块焊盘正下方区域以外的第二部件。去除固体金属图案的第二部件的部分，其中，基本上没有去除固体金属图案的第一部件的部分。在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除固体金属图案的剩余部分。在半导体晶圆中实施伪金属图案和多个凸块焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 优化 金属 分布 增大 介电强度 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供晶圆表示件，包括：金属层和位于所述金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，所述金属层包括凸块焊盘正下方区域；将固体金属图案插入所述金属层中，其中，所述固体金属图案包括位于所述凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于所述凸块焊盘正下方区域以外的第二部件；以及去除所述固体金属图案的所述第二部件的部分，其中，基本上没有去除所述固体金属图案的所述第一部件的部分，在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除所述固体金属图案的剩余部分，并且其中，使用计算机执行插入和去除的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
