[发明专利]通过优化伪金属分布增大介电强度有效

专利信息
申请号: 201110201477.2 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102593043A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 陈宪伟;刘醇鸿 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 通过 优化 金属 分布 增大 介电强度
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

提供晶圆表示件,包括:金属层和位于所述金属层的上方的多个凸块焊盘,其中,所述金属层包括凸块焊盘正下方区域;

将固体金属图案插入所述金属层中,其中,所述固体金属图案包括位于所述凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于所述凸块焊盘正下方区域以外的第二部件;以及

去除所述固体金属图案的所述第二部件的部分,其中,基本上没有去除所述固体金属图案的所述第一部件的部分,在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除所述固体金属图案的剩余部分,并且其中,使用计算机执行插入和去除的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

在半导体晶圆中实现所述伪金属图案和所述多个凸块焊盘。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述固体金属图案与所述多个凸块焊盘之一的整体垂直重叠。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述金属层直接在所述多个凸块焊盘的下方,在所述金属层和所述多个凸块焊盘之间不存在附加的金属层。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述金属层没有直接位于所述多个凸块焊盘的下方,在所述金属层和所述多个凸块焊盘之间具有至少一个附加的金属层。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,贯穿所述晶圆表示件的整体,基本上没有所述固体金属图案的部分从位于任意所述多个凸块焊盘下方的凸块焊盘正下方区域中去除。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述凸块焊盘正下方区域中的金属密度大于约90%,并且在具有约大于100μm×100μm尺寸的区域中,所述金属层位于所述凸块焊盘正下方区域以外的金属密度在约15%和约85%之间。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,在插入所述固体金属图案的步骤之前,在所述金属层中存在金属连接件,并且其中,所述固体金属图案与任意所述金属连接件断开。

9.一种方法,包括:

提供晶圆表示件,包括:第一金属层、位于所述第一金属层上方的第二金属层,以及位于所述第二金属层上方的多个凸块焊盘,其中,所述第一金属层包括第一凸块焊盘正下方区域,所述第二金属层包括第二凸块焊盘正下方区域;

将第一固体金属图案插入所述第一金属层中,其中,所述第一固体金属图案包括位于所述第一凸块焊盘正下方区域中的第一部件、和位于所述第一凸块焊盘正下方区域以外的第二部件;

将第二固体金属图案插入所述第二金属层中,其中,所述第二固体金属图案包括位于所述第二凸块焊盘正下方区域中的第三部件、和位于所述第二凸块焊盘正下方区域以外的第四部件;

分别去除所述第一固体金属图案的所述第二部件的部分、和所述第二固体金属图案的所述第四部件的部分,其中,基本上没有去除所述第一固体金属图案的所述第一部件的部分、和所述第二固体金属图案的所述第三部件的部分,并且其中,所述第一固体金属图案和所述第二固体金属图案的剩余部分形成伪金属图案;以及

将伪通孔插入在所述第一金属层和所述第二金属层之间,其中,所述伪通孔在所述第一部件和所述第三部件之间并且与所述第一部件和所述第三部件垂直重叠,其中,使用计算机执行插入所述第一固体金属图案和所述第二固体金属图案的步骤、去除所述第二部件的部分和所述第四部件的部分的步骤、以及插入所述伪通孔的步骤。

10.一种方法,包括:

提供晶圆表示件,包括:金属层和位于所述金属层上方的多个凸块焊盘,其中,所述金属层包括凸块焊盘正下方区域;

将固体伪金属图案插入所述金属层中,其中,将所述固体伪金属图案基本上限定在所述凸块焊盘正下方区域内,并且其中,基本上没有将所述固体伪金属图案插入所述凸块焊盘正下方区域以外;

在插入所述固体伪金属图案的步骤以后,将伪图案插入所述金属层和所述凸块焊盘正下方区域以外;以及

在半导体晶圆中实现所述固体伪金属图案和所述伪图案。

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