[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110201206.7 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102332520A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 曹贤敬;权豪基 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件，包括：导电支撑构件；设置在导电支撑构件上的第一导电层；设置在第一导电层上的第二导电层；发光结构，该发光结构包括设置在第二导电层上的第一半导体层、设置在第一半导体层和第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及设置在第一导电层和第二导电层之间的绝缘层，其中第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层的第一扩展部分，并且包括从第一扩展部分延伸并且设置在第一半导体层中的第二扩展部分，其中绝缘层设置在第一扩展部分的侧表面上，以及其中第二扩展部分的侧表面接触第一半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：导电支撑构件；第一导电层，所述第一导电层设置在所述导电支撑构件上；第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上；发光结构，所述发光结构包括：设置在所述第二导电层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层和所述第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，其中，所述第一导电层包括穿透所述第二导电层、所述第二半导体层以及所述有源层的第一扩展部分，并且包括从所述第一扩展部分延伸且设置在所述第一半导体层中的第二扩展部分，其中，所述绝缘层设置在所述第一扩展部分的侧表面上，以及其中，所述第二扩展部分的侧表面接触所述第一半导体层。
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