[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

第一导电层，所述第一导电层设置在所述导电支撑构件上；

第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上；

发光结构，所述发光结构包括：设置在所述第二导电层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层和所述第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及

绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，

其中，所述第一导电层包括穿透所述第二导电层、所述第二半导体层以及所述有源层的第一扩展部分，并且包括从所述第一扩展部分延伸且设置在所述第一半导体层中的第二扩展部分，

其中，所述绝缘层设置在所述第一扩展部分的侧表面上，以及

其中，所述第二扩展部分的侧表面接触所述第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的顶表面具有粗糙表面。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的底表面的面积大于所述第一扩展部分的顶表面的面积。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的底表面与所述第一扩展部分的顶表面的面积比是从1至1.4。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二扩展部分的宽度等于或大于所述第一扩展部分的宽度。

6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，设置在所述第一扩展部分的侧表面上的所述绝缘层的厚度等于或大于200nm并且等于或小于1000nm。

7.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述绝缘层设置在所述第二扩展部分的侧表面的一部分上。

8.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

第一导电层，所述第一导电层设置在所述导电支撑构件上；

第二导电层，所述第二导电层设置在所述第一导电层上；

发光结构，所述发光结构包括：设置在所述第二导电层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层和所述第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；以及

绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，

其中，所述第一导电层包括导电通孔，所述导电通孔穿透所述第二导电层、所述第二半导体层以及所述有源层并且设置在所述第一半导体层中，

其中，所述绝缘层设置在所述导电通孔的侧表面上，以及

其中，所述导电通孔的高度大于设置在所述导电通孔的侧表面上的绝缘层的高度。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述导电通孔的顶表面具有粗糙表面。

10.根据权利要求8或9所述的发光器件，其中，所述导电通孔的底表面与所述导电通孔的顶表面的面积比是从1至2.5。

11.根据权利要求8或9所述的发光器件，其中，设置在所述导电通孔的侧表面上的所述绝缘层的厚度等于或大于200nm并且等于或小于1000nm。

12.根据权利要求1、2、8以及9中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括向外暴露的一个区域，并且进一步包括设置在暴露区域上的电极焊盘。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述暴露区域设置在所述发光器件的角部。

14.根据权利要求1、2、8以及9中的任何一项所述的发光器件，包括：

钝化层，所述钝化层设置在所述发光结构的侧表面上。

15.根据权利要求1、2、8以及9中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第一半导体层的顶表面具有粗糙表面。

16.根据权利要求1、2、8以及9中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括反射层和欧姆层中的至少一种。

17.根据权利要求1、2、8以及9中的任何一项所述的发光器件，其中，所述第二导电层包括Ag、Al、Pt、Ni、Pd、Au、Ir以及透明导电氧化物中的至少一种，并且其中所述透明导电氧化物包括ITO和GZO中的一种。