[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年7月12日提交的韩国专利申请No.10-2010-0067115的优先权，其全部内容通过引用结合在此。

技术领域

本公开涉及一种发光器件和照明系统。

背景技术

发光二极管(LED)是用于将电能转换为光的半导体元件。与诸如荧光灯和白炽电灯等的现有的光源相比较，LED具有低功率消耗、半永久性寿命跨度、快速响应速度、安全、以及环保的优点。为此，许多的研究专注于利用LED来置换现有光源。LED现在日益用作用于例如用于室内和室外的各种灯、液晶显示器件、电标识牌、以及街灯等的照明器件的光源。

发明内容

一个实施例是发光器件。发光器件包括：

导电支撑构件；

第一导电层，该第一导电层设置在导电支撑构件上；

第二导电层，该第二导电层设置在第一导电层上；

发光结构，该发光结构包括：设置在第二导电层上的第一半导体层、设置在第一半导体层和第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及

绝缘层，该绝缘层设置在第一导电层和第二导电层之间，

其中，第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层的第一扩展部分，并且包括从第一扩展部分延伸并且设置在第一半导体层中的第二扩展部分，

其中，绝缘层设置在第一扩展部分的侧表面上，以及

其中，第二扩展部分的侧表面接触第一半导体层。

另一实施例是发光器件。发光器件包括：

导电支撑构件；

第一导电层，该第一导电层设置在导电支撑构件上；

第二导电层，该第二导电层设置在第一导电层上；

发光结构，该发光结构包括：设置在第二导电层上的第一半导体层、设置在第一半导体层和第二导电层之间的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；以及

绝缘层，该绝缘层设置在第一导电层和第二导电层之间，

其中，第一导电层包括穿透第二导电层、第二半导体层以及有源层的导电通孔并且设置在第一半导体层中，

其中，绝缘层设置在导电通孔的侧表面上，以及

其中，导电通孔的高度大于设置在导电通孔的侧表面上的绝缘层的高度。

附图说明

图1是示出根据本公开实施例的发光器件的截面视图。

图2A是示出根据本公开实施例的发光器件的顶表面视图。

图2B是示出沿着图2A的线A-A’截取的发光器件的截面视图。

图2C是详细示出图2B的区域“B”的视图。

图2D是示出图2B中所示的发光器件的另一实施例的截面视图。

图3A至图3K是示出根据本公开实施例的制造发光器件的方法的视图。

图4是示意性地示出发光器件封装的视图。

图5是示出根据本公开实施例的包括发光器件封装的背光单元的视图。

图6是示出包括图4中所示的发光器件封装的照明系统1500的透视图。

具体实施方式

在附图中，仅仅为了描述的方便和清楚，每个层的厚度或者尺寸可以放大、省略或者示意性地示出。各个组件的尺寸可以不必要地表示它的实际尺寸。

此外，当元件称为是在另一元件“上”或者“下”时，它可以直接地在元件上/下，或者也可以存在一个或者多个插入元件。当元件称为是在“上”或者“下”时，可以基于元件包括“在元件下”以及“在元件上”。

在下文中，将会参考附图来详细地描述本公开实施例。

[发光器件]

图1是示出根据实施例的包括通孔电极的垂直型发光器件200的截面的视图。

在下文中，为了描述的方便，假定通过导电通孔220a、220b以及220c电连接到n型导电层220的半导体层270是n型半导体层，并且形成在p型导电层240和有源层260之间的半导体层250是p型半导体层。

在图1中所示的发光器件中，导电通孔220a、220b以及220c形成为从n型导电层220穿透p型导电层240、p型半导体层250以及有源层260，并且延伸到n型半导体层270的特定区域。图1中所示的发光器件200的结构提供优秀的光提取效率，因为通过电极没有阻挡实际上发射光的n型半导体层270的顶表面。

图2A是示出根据另一实施例的发光器件300的顶表面的视图。图2B是示出沿着图2A的线A-A’截取的发光器件300的截面的视图。图2C是示出图2B的区域“B”的放大图。