[发明专利]多栅晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110199673.0 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881724A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多栅晶体管，包括：衬底；氧化物层，位于衬底上；鳍形结构，位于氧化物层上且与衬底相连，包括沟道区以及沟道区两端的源漏区；栅极介质层，位于鳍形结构上且包围沟道区；栅极，位于氧化物层以及栅极介质层上，垂直于鳍形结构；其特征在于，源漏区由金属硅化物构成。依照本发明的半导体器件及其制造方法，由于完全采用金属硅化物作为多栅晶体管的鳍形的源漏区，有效降低了源漏串联电阻且避免了源漏掺杂带来的非晶化区淬火后不能晶化的问题。此外，由于沟道区与金属硅化物界面处具有掺杂离子的聚集区，有效降低了肖特基势垒高度，进一步提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅晶体管，包括：衬底；氧化物层，位于衬底上；鳍形结构，位于氧化物层上且与衬底相连，包括沟道区以及沟道区两端的源漏区；栅极介质层，位于鳍形结构上且包围沟道区；栅极，位于氧化物层以及栅极介质层上，垂直于鳍形结构；其特征在于，源漏区由金属硅化物构成。
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