[发明专利]多栅晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种多栅晶体管，包括：

衬底；

氧化物层，位于衬底上；

鳍形结构，位于氧化物层上且与衬底相连，包括沟道区以及沟道区两端的源漏区；

栅极介质层，位于鳍形结构上且包围沟道区；

栅极，位于氧化物层以及栅极介质层上，垂直于鳍形结构；

其特征在于，源漏区由金属硅化物构成。

2.如权利要求1所述的多栅晶体管，其中，多栅晶体管为三栅晶体管、FinFET、双栅晶体管或包围栅晶体管。

3.如权利要求1所述的多栅晶体管，其中，衬底为体硅或SOI。

4.如权利要求1所述的多栅晶体管，其中，栅极介质层为氧化硅或高k材料。

5.如权利要求1所述的多栅晶体管，其中，金属硅化物包括Ni、Co、Pt的二元或多元金属硅化物。

6.如权利要求1所述的多栅晶体管，其中，沟道区与源漏区界面处还具有掺杂离子的聚集区。

7.如权利要求6所述的多栅晶体管，其中，掺杂离子对于p型多栅晶体管而言包括B、Al、Ga、In，对于n型多栅晶体管而言包括N、P、As、O、S、Se、Te、F、Cl。

8.一种制造如权利要求1的多栅晶体管的方法，包括：

在衬底上形成氧化物层、本征的鳍形结构、栅极介质层以及栅极，其中，鳍形结构位于氧化物层上且与衬底相连，包括沟道区以及沟道区两端的源漏区，栅极介质层位于鳍形结构上且包围沟道区，栅极位于氧化物层以及栅极介质层上且垂直于鳍形结构；

在氧化物层、鳍形结构以及栅极上形成金属层；

执行退火，使得源漏区与金属层完全发生反应，形成金属硅化物的源漏区。

9.如权利要求8所述的方法，其中，多栅晶体管为三栅晶体管、FinFET、双栅晶体管或包围栅晶体管。

10.如权利要求8所述的方法，其中，衬底为体硅或SOI。

11.如权利要求8所述的方法，其中，栅极介质层为氧化硅或高k材料。

12.如权利要求8所述的方法，其中，金属层包括Co、Ni、Pt及其合金，金属层厚度为1至20nm。

13.如权利要求8所述的方法，其中，栅极的形成采用先栅工艺或后栅工艺。

14.如权利要求8所述的方法，其中，退火为一步退火或两步退火，两步退火包括低温第一步退火以及高温第二步退火。

15.如权利要求8所述的方法，其中，退火之后对金属硅化物的源漏区进行掺杂。

16.如权利要求15所述的方法，其中，掺杂离子对于p型多栅晶体管而言包括B、Al、Ga、In，对于n型多栅晶体管而言包括N、P、As、O、S、Se、Te、F、Cl。

17.如权利要求15所述的方法，其中，通过离子注入或等离子掺杂进行掺杂。

18.如权利要求17所述的方法，其中，离子注入剂量为1×10¹⁴cm^-2至1×10¹⁶cm^-2，注入能量为0.1KeV至20KeV。

19.如权利要求15所述的方法，其中，掺杂之后进行驱动退火，使得掺杂离子在沟道区与金属硅化物的源漏区界面处形成掺杂离子的聚集区。

20.如权利要求19所述的方法，其中，驱动退火温度为400至850℃，退火时间为10至600秒。