[发明专利]F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法无效
| 申请号： | 201110198267.2 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102299479A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;张书明;王辉;刘建平;曾畅;李增成;王怀兵;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收；同时外延生长的薄膜为宽禁带材料，对出射光的吸收非常小，可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升，提高激光器的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种F‑P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)解理F‑P腔半导体激光器，得到激光器bar条；(2)用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；(3)应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；(4)在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；(5)用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。
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