[发明专利]F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法无效
| 申请号： | 201110198267.2 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102299479A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;张书明;王辉;刘建平;曾畅;李增成;王怀兵;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;C23C14/35 |
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| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 钝化 方法 | ||
1.一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；
(2)用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；
(3)应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；
(4)在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；
(5)用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。
2.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：F-P腔半导体激光器为脊型半导体激光器。
3.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：步骤3中所述的外延生长技术是指等离子体溅射、MOCVD、HVPE、MBE、离子束辅助沉积、喷雾或者电子束蒸发中的一种。
4.根据权利要求3所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：等离子体溅射包括磁控等离子体溅射、电子回旋共振等离子体溅射。
5.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：步骤3中所述的保护膜为一种耐高温宽禁带材料。
6.根据权利要求5所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：所述的耐高温宽禁带材料包括AlON、SiAlON、金刚石、闪锌矿AlN、纤锌矿AlN、闪锌矿BN、纤锌矿BN、Al2O3以及MgO、Ga2O3、TiO2、CrO2、BeO中的一种。
7.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：步骤3中所述的保护膜的生长速率控制在2nm/min至5nm/min范围内。
8.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：步骤4中所述的蒸镀方法为电子束蒸发。
9.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于，步骤4中所述的在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积的增透膜为一层SiO2。
10.根据权利要求1所述的F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于：步骤4中所述的在激光器bar条后腔面上蒸镀或沉积的高反膜，由6对单元依次层叠，每对单元由一层SiO2和一层ZrO2组成，其光学厚度均为1/4的出射光波长。
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