[发明专利]画素结构及其制作方法

摘要

一种画素结构的制作方法。于基板上形成图案化半导体层，包括下电极、源极掺杂区、漏极掺杂区以及通道区。于图案化半导体层上形成栅介电层。于栅介电层上形成图案化第一金属层，包括栅极、扫描线及共享电极，通道区位于栅极下方。于图案化第一金属层上依序形成第一介电层与第一保护层。于第一保护层上形成图案化第二金属层，包括源极、漏极及数据线，数据线位于共享电极上方且两者之间配置有第一介电层与第一保护层。于图案化第二金属层上形成第二保护层。于第二保护层上形成与漏极电性连接的画素电极。

主权项

一种画素结构的制作方法，包括：于一基板上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一下电极、一源极掺杂区、一漏极掺杂区以及一通道区，其中该下电极与该漏极掺杂区电性连接；于该图案化半导体层上形成一栅介电层；于该栅介电层上形成一图案化第一金属层，该图案化第一金属层包括一栅极、一扫描线以及一共享电极，其中该通道区位于该栅极下方；于该图案化第一金属层上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一第一保护层；于该第一保护层上形成一图案化第二金属层，该图案化第二金属层包括一源极、一漏极以及与该源极电性连接的一数据线，其中该源极与该漏极分别与该源极掺杂区及该漏极掺杂区电性连接，该数据线位于该共享电极上方且两者之间配置有该第一介电层与该第一保护层；于该图案化第二金属层上形成一第二保护层；以及于该第二保护层上形成一画素电极，该画素电极与该漏极电性连接。