[发明专利]画素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种画素结构的制作方法，包括：

于一基板上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一下电极、一源极掺杂区、一漏极掺杂区以及一通道区，其中该下电极与该漏极掺杂区电性连接；

于该图案化半导体层上形成一栅介电层；

于该栅介电层上形成一图案化第一金属层，该图案化第一金属层包括一栅极、一扫描线以及一共享电极，其中该通道区位于该栅极下方；

于该图案化第一金属层上形成一第一介电层；

于该第一介电层上形成一第一保护层；

于该第一保护层上形成一图案化第二金属层，该图案化第二金属层包括一源极、一漏极以及与该源极电性连接的一数据线，其中该源极与该漏极分别与该源极掺杂区及该漏极掺杂区电性连接，该数据线位于该共享电极上方且两者之间配置有该第一介电层与该第一保护层；

于该图案化第二金属层上形成一第二保护层；以及

于该第二保护层上形成一画素电极，该画素电极与该漏极电性连接。

2.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该下电极的形成方法包括：

于该基板上形成一半导体材料层；

于该半导体材料层上形成一第一光阻层，其中该第一光阻层包含具有一第一厚度的一下电极光阻图案与具有一第二厚度的一第一光阻区块，其中该第一厚度小于该第二厚度；

以该第一光阻层为罩幕对该半导体材料层进行一蚀刻制程；

减少该第一光阻层的厚度，以移除该下电极光阻图案并暴露出该半导体材料层；以及

以剩余的该第一光阻区块为罩幕，对该半导体材料层进行一离子掺杂制程，以形成该下电极。

3.根据权利要求2所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该第一光阻层的形成方法包括一半色调曝光显影。

4.根据权利要求2所述的画素结构的制作方法，其特征在于，以该第一光阻层为罩幕对该半导体材料层进行一蚀刻制程之后，更包括对该半导体层进行一侧向蚀刻制程。

5.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该源极掺杂区与该通道区以及该漏极掺杂区与该通道区之间分别更包括一淡掺杂区。

6.根据权利要求5所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该图案化半导体层、该栅介电层与该图案化第一金属层的形成方法包括：

于该基板上形成一半导体材料层；

于该半导体材料层上形成一第一光阻层，其中该第一光阻层包含具有一第一厚度的一下电极光阻图案与具有一第二厚度的一第一光阻区块，其中该第一厚度小于该第二厚度；

以该第一光阻层为罩幕对该半导体材料层进行一蚀刻制程；

减少该第一光阻层的厚度，以移除该下电极光阻图案并暴露出该半导体材料层；

以剩余的该第一光阻区块为罩幕，对该半导体材料层进行一第一离子掺杂制程，以形成该下电极；

移除剩余的该第一光阻区块；

全面形成该栅介电层；

于该栅介电层上形成一第一金属层；

于该第一金属层上形成一第二光阻层；

以该第二光阻层为罩幕，对该第一金属层进行一蚀刻制程；

以该第二光阻层为罩幕，对该图案化半导体层进行一第二离子重掺杂制程，以形成该源极掺杂区与该漏极掺杂区；

缩小该第二光阻层的宽度，并去除未被该第二光阻层覆盖的该第一金属层；以及

以剩余的该第二光阻层为罩幕，对该图案化半导体层进行一第二离子轻掺杂制程，以形成所述淡掺杂区。

7.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，更包括于该栅介电层、该第一介电层以及该第一保护层中形成一第一开口与一第二开口，其中该源极经由该第一开口与该源极掺杂区电性连接，该漏极经由该第二开口与该漏极掺杂区电性连接。

8.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，更包括于该第二保护层中形成一第三开口，其中该画素电极经由该第三开口与该漏极电性连接。

9.根据权利要求1所述的画素结构的制作方法，其特征在于，该图案化第二金属层更包括一反射电极。

10.根据权利要求9所述的画素结构的制作方法，更包括于该第一保护层表面形成多个凸块，且该反射电极形成于所述凸块上。