[发明专利]晶体管构造体及发光装置无效
| 申请号： | 201110191186.X | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315245A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 山本和人 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L29/04;H01L21/77 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶体管构造体及发光装置。晶体管构造体具备：第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、及在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上形成的第1半导体膜；及第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上形成的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上与所述第2半导体膜的沟道区域对应的位置形成的第2栅电极；所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域和成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 构造 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管构造体，其特征在于，具备：第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、及在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上形成的第1半导体膜；及第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上形成的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上与所述第2半导体膜的沟道区域对应的位置形成的第2栅电极；所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域和成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
