[发明专利]晶体管构造体及发光装置

权利要求书

1.一种晶体管构造体，其特征在于，具备：

第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、及在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上形成的第1半导体膜；及

第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上形成的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上与所述第2半导体膜的沟道区域对应的位置形成的第2栅电极；

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域和成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。

2.如权利要求1所记载的晶体管构造体，其中，

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各自的所述第1区域和所述第2区域的所述另一方与各自的所述一方相比较，非晶质硅区域的比例高。

3.如权利要求1所记载的晶体管构造体，其中，

所述第1薄膜晶体管的所述第1半导体膜中的所述沟道区域的第1区域成为所述第1半导体膜的电流经路，

所述第2薄膜晶体管的所述第2半导体膜中的所述沟道区域的第2区域成为所述第2半导体膜的电流经路。

4.如权利要求1所记载的晶体管构造体，其中，具有：

电压供给线，与所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管的至少一个连接；及

导电层，在所述电压供给线上，由与所述第2栅电极相同的材料构成。

5.如权利要求1所记载的晶体管构造体，其中，

所述第1薄膜晶体管具有分别设置在所述第1半导体膜和所述第2绝缘膜之间的源电极、漏电极，

所述第2薄膜晶体管具有分别设置在所述第2半导体膜和所述第2绝缘膜之间的源电极、漏电极。

6.一种发光装置，其特征在于，具备：

第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、及在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上形成的第1半导体膜；

第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上形成的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上与所述第2半导体膜的沟道区域对应的位置形成的第2栅电极；及

发光元件，通过所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管的控制进行发光；

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域和成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。

7.如权利要求6所记载的发光装置，其中，

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各自的所述第1区域和所述第2区域的所述另一方与各自的所述一方相比较，非晶质硅区域的比例高。

8.如权利要求6所记载的发光装置，其中，

所述第1薄膜晶体管的所述第1半导体膜中的所述沟道区域的第1区域成为所述第1半导体膜的电流经路，

所述第2薄膜晶体管的所述第2半导体膜中的所述沟道区域的第2区域成为所述第2半导体膜的电流经路。

9.如权利要求6所记载的发光装置，其中，

所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管之中的、所述第1区域及所述第2区域的结晶化度相对高的所述一方位于栅电极侧、且所述第1区域及所述第2区域的结晶化度相对低的所述另一方位于与栅电极相反一侧的薄膜晶体管，是向所述发光元件流动电流的驱动晶体管。

10.如权利要求6所记载的发光装置，其中，

所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管之中的、所述第1区域及所述第2区域的结晶化度相对高的所述一方位于与栅电极侧相反一侧、且所述第1区域及所述第2区域的结晶化度相对低的所述另一方位于栅电极的薄膜晶体管，是开关晶体管。

11.如权利要求6所记载的发光装置，其中，具有：

电压供给线，与所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管的至少一个连接；及

导电层，在所述电压供给线上，由与所述第2栅电极相同的材料构成。