[发明专利]晶体管构造体及发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及晶体管构造体及发光装置。

背景技术

以前，已知使用了EL(Electro Luminescent)元件的EL发光显示装置。在EL发光显示装置中，各像素具备EL元件，为了通过有源矩阵电路来驱动该EL发光显示装置，每个象素设置了薄膜晶体管，该薄膜晶体管控制对各EL元件供给的电流。

有源矩阵方式的EL发光显示装置具备：开关晶体管，对与例如信号线(数据线)连结的数据信号进行控制；以及驱动晶体管，使与从开关晶体管传达的数据信号相对应的电流流到EL元件。

为了使该EL发光显示装置更好地发挥发光显示特性，要求开关晶体管和驱动晶体管各具有不同的特性。

例如，在日本国特开2007-256926号公报中，公开了如下发光显示装置的技术：使具备含有结晶性硅的半导体膜的薄膜晶体管起到驱动晶体管的作用，使具备由非晶质硅构成的半导体膜的薄膜晶体管起到开关晶体管的作用。

但是，上述现有技术的情况下，在形成一方的薄膜晶体管之后，形成另一方的薄膜晶体管，所以对每个薄膜晶体管反复进行绝缘膜、半导体膜、金属膜等的成膜以及这些成膜的膜的构图。另外，由于对每个薄膜晶体管反复进行各工序，需要通常的成倍程度的工序，所以存在工序数的增加招致制造成本的增大的问题。

发明内容

本发明提供一种晶体管构造体及发光装置，可以高效地制作形态互不相同的薄膜晶体管。

本发明的晶体管构造体，其特征在于，具备：

第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、及在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上形成的第1半导体膜；及

第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上形成的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上与所述第2半导体膜的沟道区域对应的位置形成的第2栅电极；

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域和成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。

本发明的晶体管构造体的制造方法，是具备第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管的晶体管构造体的制造方法，其包括如下工序：

第1栅电极形成工序，形成所述第1薄膜晶体管的第1栅电极；

第1绝缘膜形成工序，在所述第1栅电极上形成第1绝缘膜；

半导体膜形成工序，在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上，形成含有结晶性硅的第1半导体膜，而且在成为所述第2薄膜晶体管的位置的所述第1绝缘膜上，形成含有结晶性硅的第2半导体膜；

第2绝缘膜形成工序，在所述第2半导体膜的上方形成第2绝缘膜；及

第2栅电极形成工序，在所述第2绝缘膜上形成所述第2薄膜晶体管的第2栅电极；

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域、及成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。

本发明的发光装置，其特征在于，具备：

第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极的第1绝缘膜、及在与所述第1栅电极对应的位置的所述第1绝缘膜上形成的第1半导体膜；

第2薄膜晶体管，具备在所述第1绝缘膜上形成的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜的第2绝缘膜、及在所述第2绝缘膜上与所述第2半导体膜的沟道区域对应的位置形成的第2栅电极；及

发光元件，通过所述第1薄膜晶体管和所述第2薄膜晶体管的控制进行发光；

所述第1半导体膜及所述第2半导体膜各具有成为所述第1绝缘膜侧的第1区域和成为其反对面侧的第2区域，所述第1区域和所述第2区域的任一方的硅的结晶化度比另一方高。

本发明的晶体管构造体，其特征在于，具备：

第1薄膜晶体管，具备第1栅电极、覆盖所述第1栅电极设置的第1绝缘膜、及第1半导体膜，所述第1半导体膜在所述第1绝缘膜上设置在所述第1栅电极的上部，在所述第1半导体膜的上表面的一部分且与所述第1栅电极对应的区域的至少一部分具有凹部；及

第2薄膜晶体管，具备设置在所述第1绝缘膜上的第2半导体膜、覆盖所述第2半导体膜而设置在所述第1绝缘膜上的所述第2绝缘膜、及间隔着所述第2绝缘膜而设置在所述第2半导体膜的上部的第2栅电极，在所述第2半导体膜的上表面的一部分且与所述第2栅电极对应的区域的至少一部分具有凹部；