[发明专利]优化的杰特版图设计的层厚无效
| 申请号： | 201110190779.4 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315094A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | R.瓦尔;A.库格勒 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L51/40;H01L51/42;H01L51/52;B81C1/00;B81B7/02;B41M3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹若;杨国治 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造包括有第一印刷结构的电或者电子器件的方法，其中提供了基片，并在这基片上借助于杰特法印刷第一结构。印刷的结构包括有至少第一角。此外借助于杰特法使第二结构从第一结构的第一角一直印刷到位于第一结构之外的端点，其中第二结构接触第一结构，而且其中实施这种印刷，只要接触第二结构的第一结构的材料至少部分地处于一种流体状态的话。最后使第一结构和/或第二结构电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 版图 设计 | ||
【主权项】：
用于制造包括有第一印刷结构（3）的电或者电子器件（1）的方法，该方法包括有如下步骤：‑‑提供基片（2）；‑‑在这基片（2）上借助于杰特法印刷第一结构（3），其中印刷的第一结构（3）包括有至少一个第一角（5）；‑‑‑借助于杰特法使第二结构（4）从第一结构（3）的第一角（5）一直印刷到位于第一结构（3）之外的端点，从而第二结构（4）接触第一结构（3），而且‑‑‑其中实施这种印刷，只要接触第二结构（4）的第一结构（3）的材料至少部分地处于流体状态的话；而且‑‑‑使第一结构（3）和/或第二结构（4）电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110190779.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种短信编辑修饰方法
- 下一篇：显影消泡装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
