[发明专利]优化的杰特版图设计的层厚无效

专利信息
申请号: 201110190779.4 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN102315094A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: R.瓦尔;A.库格勒 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L51/40;H01L51/42;H01L51/52;B81C1/00;B81B7/02;B41M3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曹若;杨国治
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 优化 版图 设计
【权利要求书】:

1.用于制造包括有第一印刷结构(3)的电或者电子器件(1)的方法,该方法包括有如下步骤:

--提供基片(2);

--在这基片(2)上借助于杰特法印刷第一结构(3),其中印刷的第一结构(3)包括有至少一个第一角(5);

---借助于杰特法使第二结构(4)从第一结构(3)的第一角(5)一直印刷到位于第一结构(3)之外的端点,

从而第二结构(4)接触第一结构(3),而且

---其中实施这种印刷,只要接触第二结构(4)的第一结构(3)的材料至少部分地处于流体状态的话;而且

---使第一结构(3)和/或第二结构(4)电接触。

2.按权利要求1所述的方法,其中第二结构(4)是一种线状结构。

3.按权利要求1或者2所述的方法,其中第一结构(3)是一种四边形,而且四边形的至少两个角与自己的第二结构(4)接触。

4.按权利要求3所述的方法,其中在使第一结构(3)的第二角(6)与第二结构(4)接触时,第一结构(3)的第二角(6)位于已经接触的第一角(5)的对面。

5.按权利要求1至4中之一所述的方法,其中在印制第一结构(3)之前印制第三结构(7),并且从第一结构(3)的角出发至第三结构(7)印制第二结构(4)作为连接。

6.按权利要求1至5中之一所述的方法,其中第一结构(3)的层厚在从≥10nm至≤500nm的范围里。

7.按权利要求1至6中之一所述的方法,其中第一结构(3)的长宽比≥1:1至≤5:1;第二结构(4)的长宽比≥1:1至≤5:1;第三结构(7)的长宽比≥1:1至≤5:1。

8.按权利要求1至7中之一所述的方法,其中在印制时印制介质为流体形式,而且印制介质包括有≥20%至≤80%(重量)的填料,≥20%至≤80%(重量)的溶剂和≥20%至≤80%(重量)的粘接剂和辅助剂,其中重量比之和≤100%(重量)。

9.电或者电子器件(1),通过一种按权利要求1至8中之一所述的方法得到,包括有第一结构(3),其中第一结构(3)与至少一个第二结构(4)接触,并且器件(1)被电接触。

10.按权利要求9所述的器件(1),其中该器件(1)是集成电路、一种特有用途的集成电路、一种微型电机系统、一种无源的器件、一种太阳能元件、一种多芯片模块、一种平面电池、一种传感器、一种有机场效应晶体管、一种有机发光二极管、一种有机光伏电池、一种存储元件或者一种显示系统。

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