[发明专利]优化的杰特版图设计的层厚无效
申请号: | 201110190779.4 | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102315094A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | R.瓦尔;A.库格勒 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L51/40;H01L51/42;H01L51/52;B81C1/00;B81B7/02;B41M3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曹若;杨国治 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 优化 版图 设计 | ||
1.用于制造包括有第一印刷结构(3)的电或者电子器件(1)的方法,该方法包括有如下步骤:
--提供基片(2);
--在这基片(2)上借助于杰特法印刷第一结构(3),其中印刷的第一结构(3)包括有至少一个第一角(5);
---借助于杰特法使第二结构(4)从第一结构(3)的第一角(5)一直印刷到位于第一结构(3)之外的端点,
从而第二结构(4)接触第一结构(3),而且
---其中实施这种印刷,只要接触第二结构(4)的第一结构(3)的材料至少部分地处于流体状态的话;而且
---使第一结构(3)和/或第二结构(4)电接触。
2.按权利要求1所述的方法,其中第二结构(4)是一种线状结构。
3.按权利要求1或者2所述的方法,其中第一结构(3)是一种四边形,而且四边形的至少两个角与自己的第二结构(4)接触。
4.按权利要求3所述的方法,其中在使第一结构(3)的第二角(6)与第二结构(4)接触时,第一结构(3)的第二角(6)位于已经接触的第一角(5)的对面。
5.按权利要求1至4中之一所述的方法,其中在印制第一结构(3)之前印制第三结构(7),并且从第一结构(3)的角出发至第三结构(7)印制第二结构(4)作为连接。
6.按权利要求1至5中之一所述的方法,其中第一结构(3)的层厚在从≥10nm至≤500nm的范围里。
7.按权利要求1至6中之一所述的方法,其中第一结构(3)的长宽比≥1:1至≤5:1;第二结构(4)的长宽比≥1:1至≤5:1;第三结构(7)的长宽比≥1:1至≤5:1。
8.按权利要求1至7中之一所述的方法,其中在印制时印制介质为流体形式,而且印制介质包括有≥20%至≤80%(重量)的填料,≥20%至≤80%(重量)的溶剂和≥20%至≤80%(重量)的粘接剂和辅助剂,其中重量比之和≤100%(重量)。
9.电或者电子器件(1),通过一种按权利要求1至8中之一所述的方法得到,包括有第一结构(3),其中第一结构(3)与至少一个第二结构(4)接触,并且器件(1)被电接触。
10.按权利要求9所述的器件(1),其中该器件(1)是集成电路、一种特有用途的集成电路、一种微型电机系统、一种无源的器件、一种太阳能元件、一种多芯片模块、一种平面电池、一种传感器、一种有机场效应晶体管、一种有机发光二极管、一种有机光伏电池、一种存储元件或者一种显示系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造