[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110181764.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856468A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陈滨全;林新强 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接。该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部。该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部。该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小。该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接，该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部，其特征在于，该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部，结合部具有一个与电极接触的接触面，该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部任意与接触面平行的横截面的面积大小，该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110181764.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
