[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括一个反射杯结构，所述反射杯常设于基板的上方，该反射杯的中央设有一收容该发光二极管于其内的通孔，该通孔内设有封装层。然而，这种发光二极管封装结构中，由于制成该反射杯的材料与制成基板的材料之间的附着力通常较小，基板与反射杯之间的结合不紧密而容易形成缝隙，使得水汽和灰尘等杂质容易沿该缝隙进入封装后的发光二极管封装结构中，从而造成发光二极管的失效，影响该发光二极管封装结构的寿命。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种密封性更好的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接。该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部。该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部。该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小。该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供两电极，两电极相互间隔设置，且相互绝缘，在两电极上分别形成阻挡结构；

在两电极一侧形成反射杯，所述反射杯的底端与该阻挡结构连接，所述反射杯与所述电极围设形成一容置空间；

去除所述阻挡结构，在所述反射杯底端于设有所述阻挡结构的部位对应形成凹陷部；

将发光二极管芯片设于所述容置空间中，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；

在容置空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片，所述封装层同时填满所述凹陷部。

上述发光二极管封装结构的制造方法中，所述反射杯底部与所述电极接触的部分形成有凹陷部，所述封装层填满所述凹陷部，采用该制造方法所制造的发光二极管封装结构的封装层包括与电极连接的结合部及与结合部连接的本体部，该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小，从而增大了封装层与电极的接触面积。由于封装层对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力，更大的接触面积使得封装层与电极之间的密封性能进一步增强，从而使外界的水汽和杂质难以进入到封装体内部，起到有效的防尘、防水的作用。同时封装层的本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加，使得发光二极管芯片的光线可顺利穿透所述封装层向外出射。

附图说明

图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

图2至图8是本发明第一实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法示意图。

图9是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

图10是本发明第三实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

图11是本发明第四实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

主要元件符号说明