[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接，该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部，其特征在于，该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部，结合部具有一个与电极接触的接触面，该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部任意与接触面平行的横截面的面积大小，该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述结合部的尺寸从靠近电极的方向从下往上逐渐减小。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述通孔包括靠近电极的第一部分及远离电极的第二部分，该第一部分的尺寸从靠近电极的方向从下往上逐渐减小，该第二部分的尺寸从第一部分的顶端向远离电极的方向从下往上逐渐增加。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一部分的深度小于第二部分的深度。

5.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括一基板，所述反射杯与基板分别位于电极的相对两侧，该基板上设有一绝缘部，所述电极的数量为两个，每一电极呈薄片状，分别位于绝缘部的相对两侧。

6.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括一基板，所述反射杯与基板分别位于电极的相对两侧，该基板上设有一绝缘部，所述电极的数量为两个，每一电极呈U形，分别位于绝缘部的相对两侧 。

7.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述电极的数量为两个，每一电极分别呈平板状，两电极之间通过一绝缘部连接。

8.如权利要求7项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘部靠近封装部的一端的相对两侧与电极接触的部分之间形成有凹陷部，所述封装层同时填满所述凹陷部。

9.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供两电极，两电极相互间隔设置，且相互绝缘，在两电极上分别形成阻挡结构；

在两电极一侧形成反射杯，所述反射杯的底端与该阻挡结构连接，所述反射杯与所述电极围设形成一容置空间；

去除所述阻挡结构，在所述反射杯底端于设有所述阻挡结构的部位对应形成凹陷部；

将发光二极管芯片设于所述容置空间中，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；

在容置空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片，所述封装层同时填满所述凹陷部。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：采用化学蚀刻的方法去除所述阻挡结构。