[发明专利]一种易于填充的沟槽电容及其制备方法有效
| 申请号： | 201110176559.6 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102244107A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王惠娟;万里兮;李宝霞;赵宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构，不用借助特殊的沉积设备，填充效果满足对高可靠性器件的要求，可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 易于 填充 沟槽 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种易于填充的沟槽电容，其特征在于，所述电容包括：电容衬底，位于所述电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于所述电容衬底的表面上的下电极，位于所述下电极的表面上的介质层，位于所述介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，所述填充材料位于上电极的表面上。
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