[发明专利]一种易于填充的沟槽电容及其制备方法

权利要求书

1.一种易于填充的沟槽电容，其特征在于，所述电容包括：电容衬底，位于所述电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于所述电容衬底的表面上的下电极，位于所述下电极的表面上的介质层，位于所述介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，所述填充材料位于上电极的表面上。

2.根据权利要求1所述的易于填充的沟槽电容，其特征在于，所述电容为的金属-薄膜-金属电容、半导体结电容或者存在以沟槽构成功能的电容器；所述电容衬底为陶瓷、半导体材料、化合物材料或者玻璃材料；所述电容为分立电容、或者为电容衬底上嵌入的电容。

3.根据权利要求1所述的易于填充的沟槽电容，其特征在于，还包括一个或者多个互联结构，该互联结构使所有的沟槽相互连通形成一个整体连接，所述互联结构和沟槽的宽度为1微米～100微米，所述互联结构和沟槽的深度为1微米～100微米。

4.根据权利要求3所述的易于填充的沟槽电容，其特征在于，所述填充材料为导电材料或者非导电材料；所述导电材料为导电胶、导电钎料或者导电金属颗粒混合物；所述非导电材料为有机聚合物、胶状物或者绝缘材料；所述填充材料的最小颗粒直径小于或者等于互联结构的最小尺寸宽度；所述填充材料状态为具有可流动性的状态，且经100℃～200℃高温固化或者100℃～200℃回流后形成稳固的填充。

5.一种易于填充的沟槽电容的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1：在电容衬底表面上形成多个相互连通的沟槽；

步骤2：在沟槽的表面上形成下电极；

步骤3：在下电极的表面上沉积介质层；

步骤4：在介质层的表面上形成上电极；

步骤5：在沟槽处填充材料，所述填充材料位于上电极的表面上；

步骤6：填充后经100℃～200℃高温固化或者100℃～200℃回流后，形成稳定的沟槽电容。

6.根据权利要求5所述的易于填充的沟槽电容的制备方法，其特征在于，所述步骤1通过干法刻蚀、湿法刻蚀、机械或者激光的方法形成可连通结构的沟槽。

7.根据权利要求5所述的易于填充的沟槽电容的制备方法，其特征在于，所述步骤2中通过沉积一层导电金属、重掺杂形成一层低电阻率的半导体、或者选择沉积重掺杂半导体材料以形成下电极。

8.根据权利要求5所述的易于填充的沟槽电容的制备方法，其特征在于，所述步骤3通过使用沉积工艺、溅射、旋涂或者溶胶凝胶工艺将电容介电材料或者铁电薄膜材料形成在下电极上；如果为结电容，其介电层直接通过掺杂形成空间电容区，进而形成耗尽层。

9.根据权利要求5所述的易于填充的沟槽电容的制备方法，其特征在于，所述步骤4中通过沉积一层导电金属、重掺杂形成一层低电阻率的半导体、或者选择沉积重掺杂半导体材料以形成下电极。

10.根据权利要求5所述的易于填充的沟槽电容的制备方法，其特征在于，所述步骤5中填充材料的方法为在20℃～25℃时，一个标准大气压下的点胶方法、旋涂法或者喷涂法。