[发明专利]绝缘体上的硅衬底结构及器件

摘要

本发明提供了SOI衬底结构及采用该SOI衬底结构的SOI器件，以进一步减弱SOI器件自加热效应，并避免现有减弱自加热效应的方案中存在的大幅度降低SOI器件性能、工艺改动多及成本高等问题，而且还能够提高漏端电流大小，且降低器件关态泄漏电流，显著提高开态电流与关态电流的比值。本发明提供的一个SOI衬底结构包括绝缘层及绝缘层下方的底层衬底，绝缘层划分为用作位于沟道区下方的第一绝缘层及第一绝缘层以外的第二绝缘层，第一绝缘层或部分第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层厚度。

主权项

一种绝缘体上的硅衬底结构，包括绝缘层及底层衬底，其中绝缘层位于底层衬底上方，并与底层衬底接触，其特征在于，绝缘层划分为第一绝缘层及第二绝缘层，第一绝缘层用作位于采用所述衬底结构的器件的沟道区下方，第一绝缘层以外的绝缘层称为第二绝缘层；其中全部或部分第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层厚度。