[发明专利]绝缘体上的硅衬底结构及器件无效
| 申请号： | 201110176472.9 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102244080A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 衬底 结构 器件 | ||
1.一种绝缘体上的硅衬底结构，包括绝缘层及底层衬底，其中绝缘层位于底层衬底上方，并与底层衬底接触，其特征在于，绝缘层划分为第一绝缘层及第二绝缘层，第一绝缘层用作位于采用所述衬底结构的器件的沟道区下方，第一绝缘层以外的绝缘层称为第二绝缘层；其中
全部或部分第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层厚度。
2.如权利要求1所述的绝缘体上的硅衬底结构，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅或氮化硅。
3.如权利要求1所述的绝缘体上的硅衬底结构，其特征在于，绝缘层第一区域或其子区域厚度为绝缘层第二区域厚度的1/10至1/2。
4.如权利要求1所述的绝缘体上的硅衬底结构，其特征在于，绝缘层第二区域厚度为100纳米以上。
5.如权利要求所述的绝缘体上的硅衬底结构，其特征在于，绝缘层第二区域厚度为20纳米至100纳米。
6.一种绝缘体上的硅器件，包括绝缘体上的硅衬底及位于该衬底上方的顶层器件，其特征在于，所述绝缘体上的硅衬底包括绝缘层及底层衬底，其中绝缘层位于底层衬底上方，并与底层衬底接触，绝缘层划分为第一绝缘层及第二绝缘层，第一绝缘层位于该顶层器件的沟道区下方，第一绝缘层以外的绝缘层称为第二绝缘层；其中全部或部分第一绝缘层的厚度小于第二绝缘层厚度。
7.如权利要求6所述的绝缘体上的硅器件，其特征在于，所述顶层器件结构为全耗尽场效应管结构、部分耗尽场效应管结构、功率场效应管结构或双极型场效应管结构。
8.如权利要求6或7所述的绝缘体上的硅器件，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅或氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
