[发明专利]半导体元件及制造方法有效
| 申请号： | 201110174875.X | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102315351A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 榎村惠滋;井上史大 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，可以将在半导体元件安装时所使用的接合部件向密接层扩散减轻。本发明的半导体元件具备：半导体层；设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极；设于所述电极的第一上面且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧的密接层；从密接层的上面至半导体层为止被覆的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，具备：半导体层；电极，其设置在所述半导体层上，且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面；密接层，其设置在所述电极的第一上面，且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧；绝缘层，其从所述密接层的上面被覆至所述半导体层。
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