[发明专利]半导体元件及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体元件，特别是涉及半导体元件的电极构造。

背景技术

目前，就半导体元件而言，为了保护半导体层不受外部环境影响，往往由SiO₂等透光性材料构成的绝缘层被覆。更具体而言，如图6所示，在设于半导体层120上的电极130的上面周缘设有使与绝缘层160的密接性提高的金属层140，且从该金属层140的上面连续至半导体层120由绝缘层160被覆(覆盖)。(参照专利文献1)

专利文献1：日本特开平11-150301号公报

但是，在安装半导体元件时，因为由Au等金属材料构成的接合部件在与金属层相接的状态下被加热，所以特别是在使用高温的共晶接合时，接合部件容易向金属层扩散，从而金属层的密接性降低。由此，绝缘层从电极剥离，最坏的情况下，从剥离的部分有接合部件浸入，由此，半导体元件可能出现不良。

发明内容

因此，本发明是鉴于这样的情况而作成的，其课题在于，提供一种半导体元件，能够将在半导体元件安装时所使用的接合部件向密接层扩散减轻。

根据本发明，上述课题通过以下发明解决。

本发明提供一种半导体元件，其具备：半导体层、设于所述半导体层上且具有第一上面和比第一上面更突出的第二上面的电极、设于所述电极的第一上面且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧的密接层、从所述密接层的上面至所述半导体层为止被覆的绝缘层。

由此，由于密接层从与接合部件相接的第二上面隔离开地设于第一上面，因此，能够将接合部件向密接层扩散减轻。

另外，优选所述电极的第二上面以露出的方式使其周围由所述绝缘层被覆。由此，可以使电极的第二上面为与接合部件的主要的接面。因此，能够使接合部件从第一上面向电极内部扩散、且进而扩散到附近的密接层得以防止。

另外，优选所述电极至少由从第二上面至第一上面为止连续的同一部件构成。由此，即使接合部件从第二上面向电极内部扩散，也能够防止比第一上面更突出的第二上面侧的电极从第一上面侧的电极剥离。

另外，所述电极按照在上面视下所述第一上面包围所述第二上面的周围的方式配置，能够防止绝缘层从电极剥离。

本发明提供一种半导体元件的制造方法中，所述半导体元件具备：半导体层、设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极、设于所述电极的第一上面的密接层、被覆所述密接层及所述半导体层的绝缘层，其中，所述半导体元件的制造方法至少具有以下工序：将在电极的上面依次层叠的密接层及绝缘层按照所述电极的上面局部地露出的方式除去；在通过除去所形成的开口部内进一步层叠所述电极。

由此，由于从除去密接层及绝缘层到进一步层叠电极为止在连续的工序下进行，因此，能够容易地构成具有比第一上面更突出的第二上面的电极。

另外，优选上述所露出的电极和在上述开口部内层叠的电极由同一材料构成。因此，可以容易地使电极由第一上面和比该第一上面更突出的第二上面连续的同一材料构成。

另外，作为所述本发明的半导体元件的制造方法，还可以如下实现，即具有将设于半导体层的电极的上面周缘除去而形成第一面的工序。

根据本发明的半导体元件及其制造方法，可以提供一种能够使在半导体元件安装时使用的接合部件向密接层扩散得以减轻的半导体元件。

附图说明

图1是示意性表示第一实施方式的半导体元件的平面图；

图2是示意性表示第一实施方式的半导体元件的图的A-A’线的剖面图；

图3是示意性表示第二实施方式的半导体元件的剖面图；

图4是示意性表示第一实施方式的半导体元件的制造方法的剖面图；

图5是示意性表示第一实施方式的半导体元件的其它制造方法的剖面图；

图6是示意性表示现有的半导体元件的剖面图。

标记说明

10、110  基板

20、120  半导体层

22  n型半导体层

24  p型半导体层

26  活性层

30、130  电极

30a  n侧电极

30b  p侧电极

31b  p侧电极的延伸部

32a  n侧电极的第一上面

32b  p侧电极的第一上面

34a  n侧电极的第二上面

34b  p侧电极的第二上面

40、140  密接层

50  透光性电极

60  绝缘层