[发明专利]半导体元件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，具备：

半导体层；

电极，其设置在所述半导体层上，且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面；

密接层，其设置在所述电极的第一上面，且其上面位于比所述电极的第二上面更靠所述半导体层侧；

绝缘层，其从所述密接层的上面被覆至所述半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，

所述电极的第二上面以露出的方式使其周围由所述绝缘层被覆。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，

所述电极至少由从第二上面至第一上面为止连续的同一部件构成。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其中，

所述电极按照在上面视下所述第一上面包围所述第二上面的周围的方式配置。

5.一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件具备：半导体层、设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极、设于所述电极的第一上面的密接层、被覆所述密接层及所述半导体层的绝缘层，其中，

所述半导体元件的制造方法具有以下工序：

将在电极的上面依次层叠的密接层及绝缘层按照所述电极的上面局部地露出的方式除去，

在通过除去所形成的开口部内进一步层叠所述电极。

6.如权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述露出的电极及所述开口部内层叠的电极由相同的材料构成。

7.一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件具备：半导体层、设于所述半导体层上且具有第一上面和比所述第一上面更突出的第二上面的电极、设于所述电极的第一上面的密接层、被覆所述密接层及所述半导体层的绝缘层，其中，

所述半导体元件的制造方法具有将在半导体层所设置的电极的上面周缘除去来形成第一面的工序。