[发明专利]外延沟道的SiCIEMOSFET器件及制备方法有效
| 申请号： | 201110171696.0 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102244099A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;张超;张玉明;张义门;杨飞;王文 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件及制作方法，主要解决现有SiC IEMOSFET器件沟道电子迁移率低，导体电阻大的问题。本发明的器件包括栅极(1)、SiO2隔离介质(2)、源极(3)、源区N+接触(4)、P+接触(5)、P-外延层(7)、JFET区域(8)、P阱(9)、N-漂移层(10)、N+衬底(11)和漏极(12)，其中：SiO2隔离介质(2)和JFET区域(8)之间设有一层厚度为0.1μm～0.2μm，氮离子掺杂浓度为3×1016cm-3的上外延沟道层(6′)，使得器件在工作状态下的导电沟道远离SiO2和SiC界面，减少表面散射对电子迁移率的影响。本发明具有沟道电子迁移率高，导通电阻低，功耗低的优点，可用于开关稳压电源、汽车电子以及功率放大器领域。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 沟道 siciemosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延沟道的SiC IEMOSFET器件，包括栅极(1)、SiO2隔离介质(2)、源极(3)、源区N+接触(4)、P+接触(5)、P‑外延层(7)、JFET区域(8)、P阱(9)、N‑漂移层(10)、N+衬底(11)和漏极(12)，其特征在于：在SiO2隔离介质(2)与JFET区域(8)之间设有上外延沟道层(6′)，以保证器件在工作状态下的导电沟道深度，减少表面散射对迁移率的影响。
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