[发明专利]支承体构造及处理装置无效
| 申请号: | 201110168452.7 | 申请日: | 2011-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN102290366A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
| 发明(设计)人: | 浅利伸二;冈田充弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供支承体构造及处理装置。该支承体构造用于在处理容器构造(42)内支承被处理体(W),该处理容器构造(42)在收容有多个上述被处理体(W)的状态下供处理气体从一端朝向另一端流动而进行规定处理,该支承体构造包括顶板部(48)、底部(50)和多个支承支柱(60),多个支承支柱(60)将上述顶板部和上述底部连结起来,沿着其长度方向形成有用于支承上述被处理体的多个支承部(88),并且,上述支承部的在上述处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于上述支承部的在上述处理气体的流动方向的上游侧的间距。由此,能够提高被处理体的膜厚的面内均匀性。 | ||
| 搜索关键词: | 支承 构造 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种支承体构造,该支承体构造配置在供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端流动的处理容器构造内,用于支承多张被处理体,其特征在于,该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱;在各支承支柱上,沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部;支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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