[发明专利]支承体构造及处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于支承半导体晶圆等被处理体的支承体构造及处理装置。

背景技术

通常，为了制造半导体集成电路，对由硅基板等构成的半导体晶圆进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理、扩散处理、改性处理、自然氧化膜的除去处理等各种处理。这些处理利用逐张处理晶圆的单片式的处理装置、一次处理多张晶圆的分批式的处理装置来进行。例如在利用专利文献1等公开的立式的、所谓的分批式的处理装置进行这些处理的情况下，首先，将半导体晶圆从能够收容多张、例如25张半导体晶圆的晶圆盒移载到立式的晶圆舟皿，并呈多层地将晶圆支承在该晶圆舟皿中。

该晶圆舟皿例如也取决于晶圆规格，但能够载置30～150张左右的晶圆。在将上述晶圆舟皿从能够排气的处理容器的下方搬入(加载)到该处理容器内之后，将处理容器内维持为气密状态。然后，控制处理气体的流量、工艺压力、工艺温度等各种工艺条件来实施规定的热处理。在该热处理中，例如以成膜处理为例，作为成膜处理的方法，公知有CVD(Chemical Vapor Deposition)法(专利文献2)、ALD(Atomic Layer Deposition)法。

而且，出于提高电路元件的特性的目的，期望也降低半导体集成电路的制造工序中的热过程，因此，即使不将晶圆暴露于那么高的温度下，也能够进行目标处理，因此，也倾向于使用一边间断地供给原料气体等一边以原子级每1层～几层地或者以分子级每1层～几层地反复成膜的ALD法(专利文献3、4等)。

专利文献1：日本特开平6-275608号公报

专利文献2：日本特开2004-006551号公报

专利文献3：日本特开平6-45256号公报

专利文献4：日本特开平11-87341号公报

发明内容

本发明的目的在于提供能够提高被处理体的膜厚的面内均匀性的支承体构造和处理装置。

本发明是一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。

这样，由于将用于支持被处理体的支承支柱的支承部的间距设定为在处理气体的流动方向的下游侧大于在处理气体的流动方向的上游侧，因此，处理气体易于蔓延到处理气体的下游侧的被处理体之间，能够提高载置在支承体构造的气流的下游侧的被处理体的膜厚的面内均匀性。

本发明是一种支承体构造，该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动的处理容器构造内，用于支承多张被处理体，其特征在于，该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距。

这样，在供处理气体从一侧朝向另一侧地水平流动的处理容器构造内支承要处理的多个被处理体的支承体构造中，对于支承被处理体的支承部，将位于上部侧的上述支承部的间距和位于下部侧的上述支承部的间距设定为大于位于中央部的上述支承部的间距，因此，能够提高载置在支承体构造的上端部侧和下端部侧的被处理体的膜厚的面内均匀性。

本发明是一种处理装置，该处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，其特征在于，该处理装置包括：纵长的处理容器构造，其下端部开口，具有能够容纳多张被处理体的大小；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端部开口；支承体构造，其用于支承多张被处理体，并能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有用于向处理容器构造内导入气体的气体喷嘴；排气部件，其用于对处理容器构造体内的气氛气体进行排气；加热部件，其用于加热被处理体；处理容器构造供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端地流动，支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱，在各支承支柱上，沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部，支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。