[发明专利]支承体构造及处理装置无效
| 申请号: | 201110168452.7 | 申请日: | 2011-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN102290366A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
| 发明(设计)人: | 浅利伸二;冈田充弘 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 支承 构造 处理 装置 | ||
1.一种支承体构造,该支承体构造配置在供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端流动的处理容器构造内,用于支承多张被处理体,其特征在于,
该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱;
在各支承支柱上,沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部;
支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。
2.根据权利要求1所述的支承体构造,其特征在于,
支承支柱的支承部沿着处理气体的流动方向被划分为多个组,支承部的间距被设定为在同一个组内相同且在不同的组之间不同。
3.根据权利要求1所述的支承体构造,其特征在于,
支承部的间距被设定为沿着处理气体的流动方向全不相同。
4.根据权利要求1所述的支承体构造,其特征在于,
支承部由支承槽构成。
5.一种支承体构造,该支承体构造配置在供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动的处理容器构造内,用于支承多张被处理体,其特征在于,
该支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱;
在各支承支柱上,沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部;
位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距。
6.根据权利要求5所述的支承体构造,其特征在于,
上部侧的支承部的间距和下部侧的支承部的间距相同。
7.根据权利要求5所述的支承体构造,其特征在于,
上部侧的支承部的数量和下部侧的支承部的数量与能够容纳在用于输送被处理体的一个输送箱内的张数相同。
8.根据权利要求5所述的支承体构造,其特征在于,
上部侧的支承部的数量和下部侧的支承部的数量与用于移载被处理体的移载臂一次能够保持并移载的张数相同。
9.一种处理装置,该处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理,其特征在于,该处理装置包括:
纵长的处理容器构造,其下端部开口,具有能够容纳多张被处理体的大小;
盖部,其用于堵塞处理容器构造的下端部开口;
支承体构造,其用于支承多张被处理体,并能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出;
气体导入部件,其具有向处理容器构造内导入气体的气体喷嘴;
排气部件,其用于对处理容器构造体内的气氛气体进行排气;
加热部件,其用于加热被处理体;
处理容器构造供处理气体从下端朝向上端或者从上端朝向下端地流动;
支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱;
在各支承支柱上,沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部;
支承支柱的在处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于支承支柱的在处理气体的流动方向的上游侧的间距。
10.一种处理装置,该处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理,其特征在于,该处理装置包括:
纵长的处理容器构造,其下端部开口,具有能够容纳多张被处理体的大小;
盖部,其用于堵塞处理容器构造的下端部开口;
支承体构造,其用于支承多张被处理体,并能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出;
气体导入部件,其具有向处理容器构造内导入气体的气体喷嘴;
排气部件,其用于对处理容器构造体内的气氛气体进行排气;
加热部件,其用于加热被处理体;
处理容器构造供处理气体从一侧朝向另一侧地沿水平方向流动;
支承体构造包括顶板部、底部、将顶板部和底部连结起来的多个支承支柱;
在各支承支柱上,沿着其长度方向形成有用于支承被处理体的多个支承部;
位于上部侧的支承部的间距和位于下部侧的支承部的间距大于位于中央侧的支承部的间距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





