[发明专利]位线结构及其制造方法有效
申请号: | 201110162125.0 | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102832173A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 郭泽绵 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种位线结构及其制造方法,包括:一基材,具有一瓶状沟槽于其中,其中此瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽,且其中第一沟槽及第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁,此第一及第二沟槽的第一侧壁皆位于瓶状沟槽的同一侧;一绝缘层,位于第二沟槽中,具有一第一开口朝向第一沟槽,且与第二沟槽构成一第二开口,此第二开口连接至第一开口并暴露出第二沟槽的第一侧壁的顶部部分;一导电材料,至少位于基材的邻接于第二开口的部分中;以及一导线,位于第一开口中,且与导电材料直接接触。依照本发明实施例所提供的位线结构及其制造方法,可有效降低位线及位线之间的寄生电容,且不会增加位线及位线之间的最小间隔。 | ||
搜索关键词: | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种位线结构的制造方法,其特征在于,包括:提供一基材;形成一瓶状沟槽于所述基材中,其中所述瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽,且其中所述第一沟槽及所述第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁,所述第一及所述第二沟槽的所述第一侧壁皆位于所述瓶状沟槽的同一侧;形成一绝缘层覆盖所述第二沟槽的所述第一及所述第二侧壁及底部;形成一朝向所述第一沟槽的第一开口在所述绝缘层中;自所述第一开口移除所述绝缘层的靠近所述第二沟槽的所述第一侧壁的一顶部部分的部分,形成一第二开口,所述第二开口连接所述第一开口并暴露出所述第二沟槽的所述第一侧壁的所述顶部部分;填入一导电材料于所述第二开口中;以及形成一导线于所述瓶状沟槽的底部,所述导线与所述导电材料直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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