[发明专利]位线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种位线结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基材；

形成一瓶状沟槽于所述基材中，其中所述瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中所述第一沟槽及所述第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，所述第一及所述第二沟槽的所述第一侧壁皆位于所述瓶状沟槽的同一侧；

形成一绝缘层覆盖所述第二沟槽的所述第一及所述第二侧壁及底部；

形成一朝向所述第一沟槽的第一开口在所述绝缘层中；

自所述第一开口移除所述绝缘层的靠近所述第二沟槽的所述第一侧壁的一顶部部分的部分，形成一第二开口，所述第二开口连接所述第一开口并暴露出所述第二沟槽的所述第一侧壁的所述顶部部分；

填入一导电材料于所述第二开口中；以及

形成一导线于所述瓶状沟槽的底部，所述导线与所述导电材料直接接触。

2.如权利要求1所述的位线结构的制造方法，其特征在于，形成所述瓶状沟槽的步骤包含：

形成所述第一沟槽于所述基材中；

形成一第一保护层内衬于所述第一沟槽的所述第一及所述第二侧壁上；

刻蚀所述第一沟槽的底部，形成所述第二沟槽。

3.如权利要求1所述的位线结构的制造方法，其特征在于，自所述第一开口移除所述绝缘层的靠近所述第二沟槽的第一侧壁的一顶部部分的部分的步骤包含：

填入所述导电材料于所述第一开口中；

形成一第二保护层及一第三保护层，其中所述第二保护层内衬于所述第一沟槽的所述第一及所述第二侧壁上，且其中所述第三保护层覆盖于所述第二保护层上，且更延伸至所述第二沟槽中；

形成一牺牲层于所述导电材料上；

选择性地移除靠近所述第一侧壁的所述第三保护层；及

以所述第二侧壁上的所述第三保护层为掩膜，移除所述绝缘层的靠近所述第二沟槽的所述第一侧壁的所述顶部部分的部分。

4.如权利要求3所述的位线结构的制造方法，其特征在于，所述填入所述导电材料于所述第二开口中的步骤包含：

形成所述导电材料于所述瓶状沟槽中；及

移除所述导电材料的在所述第二开口以外的部分。

5.如权利要求4所述的位线结构的制造方法，其特征在于，更包含在形成所述导电材料在所述第二沟槽及所述第二开口中之前，移除所述第二侧壁上的所述第三保护层。

6.如权利要求4所述的位线结构的制造方法，其特征在于，更包含在移除所述导电材料后，移除所述第二保护层。

7.如权利要求3所述的位线结构的制造方法，其特征在于，选择性地移除靠近所述第一侧壁的所述第三保护层的步骤包含：

毯覆式沉积一无晶相硅层，其至少覆盖所述第二侧壁上的所述第三保护层的位于所述牺牲层上方的部分；

以一朝向第二侧壁的注入程序对所述无晶相多晶硅层进行掺杂；

移除所述无晶相硅层的未掺杂的部分；及

移除靠近所述第一侧壁的所述第三保护层。

8.如权利要求1所述的位线结构的制造方法，其特征在于，所述导线延伸至所述第二开口中。

9.一种位线结构，其特征在于，包括：

一基材，具有一瓶状沟槽于其中，其中所述瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中所述第一沟槽及所述第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，所述第一及该第二沟槽的所述第一侧壁皆位于所述瓶状沟槽的同一侧；

一绝缘层，位于所述第二沟槽中，具有一第一开口朝向所述第一沟槽，且与所述第二沟槽构成一第二开口，所述第二开口连接至所述第一开口并暴露出所述第二沟槽的所述第一侧壁的一顶部部分；

一导电材料，至少位于所述基材的邻接于所述第二开口的部分中；以及

一导线，位于所述第一开口中，且与所述导电材料直接接触。

10.如权利要求9所述的位线结构，其特征在于，所述导线延伸至所述第二开口中。

11.如权利要求9所述的位线结构，其特征在于，所述导电材料具有一部分位于所述第二开口中。