[发明专利]具超薄种子层的封装基板形成方法无效
申请号: | 201110160210.3 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102832138A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 曾博榆 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H05K1/02 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种具超薄种子层的封装基板形成方法,其主要是将压合于基板的表面上的金属箔片蚀刻掉,而形成一基面,接着在基面上形成厚度超薄的超薄种子层,且此超薄种子层以导电材料构成,并可以随着基面的粗糙度起伏,该超薄种子层的粗糙表面有助于增加形成于其上的金属凸块或线路与基板的附着度及结合力,且由于超薄种子层的厚度很薄,因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距,故可增加制作细线路的良率。 | ||
搜索关键词: | 超薄 种子 封装 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种具超薄种子层的封装基板形成方法,其特征在于,包括:压合一金属箔片至一基板的一表面;贯穿该基板与该金属箔片形成至少一个孔洞;蚀刻以去除该金属箔片,用以让该基板的表面成为一基面;形成一超薄种子层于该基面及该至少一孔洞的孔璧上,其中该超薄种子层是由导电材料所构成;压合一干膜于该超薄种子层上,以影像移转使该干膜具有至少一开口,且该至少一开口暴露出部份的超薄种子层以及该至少一孔洞;电镀一金属于该至少一开口中的超薄种子层上,并将该至少一孔洞填满,以形成至少一个金属凸块;以及剥除该干膜并将该至少一孔洞以外且未被该至少一个金属凸块覆盖的超薄种子层移除。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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