[发明专利]具超薄种子层的封装基板形成方法无效
| 申请号: | 201110160210.3 | 申请日: | 2011-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN102832138A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 曾博榆 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H05K1/02 |
| 代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超薄 种子 封装 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种具超薄种子层(seed layer)的封装基板形成方法,尤其涉及透过超薄种子层增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力,以及由于超薄种子层的厚度很薄,因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距。
背景技术
传统封装基板制作流程中,通常是直接将铜箔压合于基板的表面上做为导通层,铜箔的厚度一般约为3μm~12μm,接着在经过压模、微影、镀铜来于导通层上形成线路,之后再将干膜及未被线路覆盖的导通层移除,然而现今数字电路板日趋轻、薄、短、小、高密度,因此细线路的印刷需求逐渐提高。
由于细线路的基板线路密度较高,因此基板上的线距及线宽相对要缩小,但利用一般现下的铜箔做为导通层,由于一般铜箔的厚度约为3μm~12μm,导致在缩小线距上有限制,因此较难提高细线路基板的密度及良率。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种具超薄种子层(seed layer)的封装基板形成方法,在基板的一表面上压合金属箔片,接着贯穿该基板与金属箔片形成个孔洞,然后,将金属箔片整个蚀刻掉而形成一基面,并于该基面及孔洞的孔璧上形成厚度超薄的一超薄种子层,其中基面可以为粗糙表面,而该超薄种子层为导电材料,该超薄种子层可以随着基面的粗糙度起伏,如此该超薄种子层亦为具有粗糙表面的导电层。
接着,将干膜压于该超薄种子层上,藉由影像转移而形成开口,开口暴露出部分超薄种子层及开至少一孔洞,并于干膜的开口中电镀金属,以填满开口,并产生金属凸块,其中金属凸块透过超薄种子层的粗糙表面来增加金属凸块或线路与基板的附着度及结合力,且由于超薄种子层的厚度很薄,因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距,故可增加制作细线路的良率。
最后,剥除干膜并将孔洞以外且未被金属凸块覆盖的超薄种子层移除。
本发明的另一主要目的在提供一种具超薄种子层的封装基板形成方法,该方法运用已在基板的上下表面压合金属箔片的基料,接着贯穿该基板与金属箔片及金属箔片形成个孔洞,然后,将金属箔片及金属箔片蚀刻掉,形成上基面及下基面,上基面及下基面可为粗糙表面,接着在上基面及下基面及孔洞的孔璧上形成厚度超薄的一超薄种子层,其中该超薄种子层为导电材料,该超薄种子层随着基板的可随着上基面及下基面的粗糙度起伏,如此该超薄种子层亦为具有粗糙表面的导电层。
接着,将干膜压于该超薄种子层上,以影像转移的方式将干膜形成开口,开口暴露出部分超薄种子层及开至少一孔洞,接着电镀金属,填满开口并产生金属凸块,其中金属凸块透过超薄种子层的粗糙表面来增加与基板间的附着度及结合力,且由于超薄种子层的厚度很薄,因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距,故可增加制作细线路的良率。
最后,剥除干膜并将孔洞以外且未被金属凸块覆盖的超薄种子层移除。
更进一步地,将上述的双层结构,以同样的方式再延伸形成三层以上的多层板结构。
本发明的具超薄种子层(seed layer)的封装基板形成方法,主要是利用超薄种子层来取代一般封装基板中的金属箔片层,由于超薄种子层具有超薄的厚度,因此可有效缩小基板上线路的线宽及线距,进一步改善制作细线路基板的良率。此外,超薄种子层为具有粗糙表面的导电层,因此金属凸块或线路可透过超薄种子层来增加与基板间的附着度及结合力,用以避免有些金属材质不易与基板附着,因而脱落的问题。
附图说明
图1A-图1H为本发明第一实施例的施行步骤示意图;
图2A-图2G为本发明第二实施例的施行步骤示意图;以及
图3A-图3H为本发明第三实施例的施行步骤示意图。
具体实施方式
以下配合说明书附图对本发明的实施方式做更详细的说明,以使本领域技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参考图1A-图1H,图1A-图1H为本发明第一实施例的施行步骤示意图。
首先,如图1A-图1B所示,压合一金属箔片20至一基板10的一表面上,接着,贯穿基板10与金属箔片20来形成至少一个孔洞30(在图1C中是以一孔洞30做为代表),然后,蚀刻以去除金属箔片20,用以让基板10的表面成为一基面11,其中蚀刻掉金属箔片20可增加基板10的表面的粗糙度(使基面11形成为一不平滑的粗糙表面),如图1D所示。
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