[发明专利]具超薄种子层的封装基板形成方法

权利要求书

1.一种具超薄种子层的封装基板形成方法，其特征在于，包括：

压合一金属箔片至一基板的一表面；

贯穿该基板与该金属箔片形成至少一个孔洞；

蚀刻以去除该金属箔片，用以让该基板的表面成为一基面；

形成一超薄种子层于该基面及该至少一孔洞的孔璧上，其中该超薄种子层是由导电材料所构成；

压合一干膜于该超薄种子层上，以影像移转使该干膜具有至少一开口，且该至少一开口暴露出部份的超薄种子层以及该至少一孔洞；

电镀一金属于该至少一开口中的超薄种子层上，并将该至少一孔洞填满，以形成至少一个金属凸块；以及

剥除该干膜并将该至少一孔洞以外且未被该至少一个金属凸块覆盖的超薄种子层移除。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成该超薄种子层的方法包含化学沉积及电浆溅镀的其中之一。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该超薄种子层具有一厚度，该厚度小于1μm。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该至少一孔洞包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中之一。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该基面为一粗糙表面，而该超薄种子层随着该基面的粗糙度起伏。

6.一种具超薄种子层的封装基板形成方法，其特征在于，包括：

准备一已将一第一金属箔片及一第二金属箔片个别压合至一基板的上表面及下表面的一基料；

贯穿该基板、该第一金属箔片及该第二金属箔片，以形成至少一个孔洞；

蚀刻以去除该第一金属箔片及该第二金属箔片，用以让该基板的上表面及下表面各别成为一上基面及一下基面；

形成一超薄种子层于该上基面、该下基面及该至少一孔洞的孔壁上，其中该超薄种子层是由导电材料所构成；

压合一第一干膜于位于该上基面的超薄种子层上，并压合一第二该干膜于位于该下基面的超薄种子层上，在影像移转后使该第一干膜及该第二该干膜个别具有至少一开口，且该至少一开口暴露出部份的超薄种子层以及该至少一孔洞；

电镀一金属于所暴露出的超薄种子层上，并填满该至少一孔洞并，以形成至少一个金属凸块；以及

剥除该第一干膜及该第二干膜并将该至少一孔洞以外且未被该至少一个金属凸块覆盖的超薄种子层移除，而形成一双层结构。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成该超薄种子层的方法包含化学沉积及电浆溅镀的其中之一。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，该超薄种子层具有一厚度，该厚度小于1μm。

9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，该至少一孔洞包含埋孔、盲孔及通孔的至少其中一。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该上基面及该下基面为一粗糙表面，而该超薄种子层随着该上基面及该下基面的粗糙度起伏。

11.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，进一步包含：

在该双层结构的上部及/或下部形成一第三基板；

在该第三基板上，压合一金属箔片；

贯穿该金属箔片、该第三基板以及该双层结构，而形成至少一孔洞；

蚀刻以去除该金属箔片，用以在该第三基板的表面形成一第一基面及/或一第二基面；

在该第一基面及/或该第二基面以及该至少一孔洞的孔壁上形成一超薄种子层；

压合一第三干膜于位于该第三基面的超薄种子层上，及/或压合一第四干膜于位于该第二基面的超薄种子层上，在影像移转后使该第三干膜及该第四该干膜个别具有至少一开口，且该至少一开口暴露出部份的超薄种子层以及该至少一孔洞；

电镀一金属于所暴露出的超薄种子层上，并填满该至少一孔洞并，以形成至少一个金属凸块；以及

剥除该第三干膜及该第四干膜并将该至少一孔洞以外且未被该至少一个金属凸块覆盖的超薄种子层移除，而形成一多层板结构。

12.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该第一基面及/或第二基面为一粗糙表面，而该超薄种子层随着该第一基面及/或该第二基面的粗糙度起伏。