[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201110157429.8 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832171A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在形成栅极之前于PMOS的沟道区形成一个凹槽；在所述凹槽中形成SiGe层；在NMOS的沟道区实施碳离子注入；在PMOS和NMOS的沟道区上方形成栅极。根据本发明，可以只在PMOS的沟道区中形成SiGe层的同时只在NMOS的沟道区中形成SiC层，在PMOS的源/漏区中不会形成SiGe层，同时在NMOS的源/漏区中不会形成SiC层，在提高CMOS器件性能的同时简化了器件结构，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在形成栅极之前于PMOS的沟道区形成一个凹槽；在所述凹槽中形成SiGe层；在NMOS的沟道区实施碳离子注入；在PMOS和NMOS的沟道区上方形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
