[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201110157429.8 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832171A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供一个半导体衬底，在形成栅极之前于PMOS的沟道区形成一个凹槽；
在所述凹槽中形成SiGe层；
在NMOS的沟道区实施碳离子注入；
在PMOS和NMOS的沟道区上方形成栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生长或者沉积工艺形成所述 SiGe层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述 SiGe层的厚度为5-50nm。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述 SiGe层中Ge原子所占比例为5-30％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述 SiGe层是含硼的SiGe层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用离子束注入或者等离子体注入的方法实施所述碳离子注入。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述碳离子注入的能量为200-5000eV。
8.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述碳离子注入的剂量为5.0×e12-1.0×e18atom/cm2。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述SiGe层之后，在所述SiGe层之上形成帽层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用外延生长或者沉积工艺形成所述帽层。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述帽层的材料是硅或者硼硅。
12.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述帽层的厚度为1-10nm。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述碳离子注入之后，进行退火处理。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极的材料是多晶硅。
15.根据权利要求 1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述栅极之前，在所述PMOS和NMOS的沟道区上方形成栅极介质层。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述栅极之后，在所述栅极的外围形成绝缘材料层。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料层是氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
