[发明专利]一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法无效
| 申请号： | 201110151982.0 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102222780A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李刘中;丁宏哲;吕学兴;陈佳榆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 曾红 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，包括：在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。采用本发明可以避免色偏问题，并且可以节省工序，方便制程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：a在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；b接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；c通过第三构图工艺暴露出像素区的所述第一金属层，同时对所述半导体层与沟道保护层进行构图；d继续沉积第二金属层以形成源/漏极；e通过第四构图工艺暴露出所述阳极；以及f接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出所述阳极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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